消息称海力士五层堆叠内存良率已达%
IT之家6月24日消息,韩媒BusinessKorea报道,业内人士透露SK海力士在6月16至20日在美国夏威夷举行的VLSI2024峰会上发表了有关3DDRAM技术的最新研究论文。

在这篇论文中,SK海力士报告其五层堆叠的3DDRAM内存良率已达56.1%,实验中的3DDRAM展现出与目前2DDRAM相似的特性。
据介绍,与传统的DRAM水平排列内存单元不同,3DDRAM垂直堆叠单元,消息称海力士五层堆叠内存良率已达%可以在相同空间内实现更高的密度。
不过,SK海力士指出,与2DDRAM的稳定运行不同,3DDRAM表现出不稳定的性能特征,需要堆叠32到192层存储单元才能实现普遍应用。
IT之家注意到,三星正在开发16层堆叠3DDRAM,并在今年3月的MemCon2024展会上宣布计划在2030年左右实现3DDRAM产品商业化应用。
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