三星层芯片通过英伟达测试硬件性能有望得到升级

百科 2024年08月21日 10:53 247 陟骞

【太平洋科技快讯】近日有消息称三星电子的第五代8层HBM3E存储芯片已成功通过英伟达的测试，将为处理生成式AI工作提供高级内存解决方案，这一成就是三星在全球内存芯片市场上的重大突破，此前该公司在高级内存芯片供应方面落后于本土竞争对手SK海力士。

HBM(HighBandwidthMemory高带宽存储器)是一种高效的动态随机存取内存(DRAM)标准，自2013年问世以来，一直为AI图形处理器(GPU)提供关键支持，用于处理复杂应用程序产生的海量数据，目前HBM市场的主要制造商包括SK海力士、美光和三星。

尽管三星和英伟达尚未正式签署供应协议，三星层芯片通过英伟达测试硬件性能有望得到升级但双方预计将很快达成协议，预计8层HBM3E芯片将在2024年第四季度开始供应，但三星的12层HBM3E芯片版本目前尚未通过英伟达的测试。

TrendForce预测，HBM3E芯片可能成为今年市场上的主流产品，需求集中在下半年。SK海力士预计，到2027年，HBM内存芯片的需求将以每年82%的速度增长，而三星预计，到今年第四季度，HBM3E芯片将占其HBM芯片销量的60%。

在HBM市场，SK海力士一直是英伟达的主要HBM芯片供应商，而美光也计划向英伟达供应HBM3E芯片，此次三星8层HBM3E芯片通过英伟达测试，将进一步加剧市场的竞争。

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