瑞能半导取得功率器件功率器件的制作方法专利，保证原胞结构中剩余的与沟槽非拐角区域邻接的各处沟道开启一致，提高功率器件的可靠性
金融界2024年8月19日消息，天眼查知识产权信息显示，瑞能半导体科技股份有限公司取得一项名为“功率器件、功率器件的制作方法“，授权公告号CN111261701B，瑞能半导取得功率器件功率器件的制作方法专利，保证原胞结构中剩余的与沟槽非拐角区域邻接的各处沟道开启一致，提高功率器件的可靠性申请日期为2020年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种功率器件、功率器件的制作方法，功率器件包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面；以及原胞结构，位于衬底的第一表面，其中原胞结构包括：沟槽，沟槽在第一表面上呈多边形延伸，从而具有拐角区域以及非拐角区域；栅绝缘层，覆盖沟槽内壁；栅极，填充于沟槽；阱区，阱区位于沟槽延伸围合的区域内，并且阱区的周边与沟槽邻接；以及第一重掺杂区，第一重掺杂区位于阱区且与沟槽邻接，栅极具有预设电压能使第一重掺杂区与漂移层之间的阱区形成沟道，其中，沟道避位沟槽的拐角区域设置。根据本发明实施例的功率器件，保证原胞结构中剩余的与沟槽的非拐角区域邻接的各处沟道的开启一致，提高功率器件的可靠性。
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