三星第代量产，性能更强

常识 2024年09月26日 08:25 497 芸鑫

9月24日消息，三星半导体宣布其量产首批第9代QLCV-NAND，为各种AI场景和设备提供了大容量和高性能的内存解决方案。

这款第9代QLCV-NAND使用了通道孔蚀刻技术，实现了业界最高的层数和双堆栈结构。采用预设模具技术和调整字线间距，三星第代量产，性能更强确保NAND层与层之间单元特性的均匀性，提高了数据保留性能约20%。

在读写性能上，第9代QLCV-NAND使用了预测编程技术通过预测和控制单元状态变化，实现了写入性能翻倍，写入和读取速度都提升了60%，有效缓解QLCNAND写入缓慢的问题。

能效方面第9代QLCV-NAND也有进步，它通过减少NAND单元驱动电压并只感应必要的位线（BL），大幅降低功耗。读写时的功耗分别减少了约30%和50%。

三星半导体有望为市场带来容量更大和性价比更高的存储产品，为用户提供更优质的存储解决方案。

宣布新合作，名称正式亮相