中微公司申请多孔塞组件专利，降低粘合层被等离子体腐蚀的风险
金融界2024年7月2日消息，天眼查知识产权信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种多孔塞组件、静电吸盘及等离子体刻蚀装置”的专利，中微公司申请多孔塞组件专利，降低粘合层被等离子体腐蚀的风险公开号CN202211717146.9，申请日期为2022年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种多孔塞组件、静电吸盘及等离子体刻蚀装置，多孔塞组件包括：具有多孔结构的多孔塞本体，气体由所述多孔塞本体的底表面进入，穿过所述多孔塞本体，由所述多孔塞本体的顶表面流出；绝缘的致密层，包括侧向部和横向部，所述侧向部形成于所述多孔塞本体的侧壁，所述横向部自所述侧向部的顶端至少向远离所述多孔塞本的方向和靠近所述多孔塞本体的方向中的一个方向延伸。横向部降低了粘合层被等离子体腐蚀的风险。该多孔塞组件还减小了放电空间，降低了产生电弧的风险。该多孔塞组件还有效解决了粘接层封堵多孔塞本体的问题。
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